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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
10.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3341
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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