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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
11.8
写入速度,GB/s
10.1
5.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1984
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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