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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
19.7
写入速度,GB/s
10.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3671
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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