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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
14.0
写入速度,GB/s
10.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2327
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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