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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
10.9
写入速度,GB/s
10.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2587
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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