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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
7.4
12.1
写入速度,GB/s
5.6
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2585
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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