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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
15.7
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3247
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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