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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
12.0
写入速度,GB/s
10.1
6.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1878
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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