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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
64
读取速度,GB/s
16.1
17.0
写入速度,GB/s
10.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2103
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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