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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
64
读取速度,GB/s
16.1
17.0
写入速度,GB/s
10.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2103
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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