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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
44
读取速度,GB/s
14.9
14.7
写入速度,GB/s
9.6
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2170
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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