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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
18.1
写入速度,GB/s
9.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3706
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
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