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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
12.8
写入速度,GB/s
9.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2583
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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