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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
16.4
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2988
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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