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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 43
    左右 -65% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.9 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.2 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 18.9
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 16.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3857

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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