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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
49
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
49
读取速度,GB/s
14.9
18.3
写入速度,GB/s
9.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2801
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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