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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
比较
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
46
43
读取速度,GB/s
12.0
11.4
写入速度,GB/s
7.5
7.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1959
1823
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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