Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Puntuación global
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12 left arrow 11.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    43 left arrow 46
    En -7% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.7 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.0 left arrow 11.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1959 left arrow 1823
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones