RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Confronto
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
46
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
7.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
46
43
Velocità di lettura, GB/s
12.0
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1959
1823
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link