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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2588
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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