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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
14.9
17.4
写入速度,GB/s
9.6
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3182
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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