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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
44
读取速度,GB/s
14.9
10.5
写入速度,GB/s
9.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2562
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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