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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
17.8
写入速度,GB/s
9.6
12.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3285
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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