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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2389
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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