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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
19.5
写入速度,GB/s
9.6
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3910
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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