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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
16.1
写入速度,GB/s
9.6
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2979
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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