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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
70
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
70
读取速度,GB/s
14.9
15.0
写入速度,GB/s
9.6
14.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2519
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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