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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
15.7
写入速度,GB/s
9.6
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2803
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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