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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,833.8
14.5
写入速度,GB/s
2,123.3
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3192
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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