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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
59
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
53
读取速度,GB/s
4,833.8
20.0
写入速度,GB/s
2,123.3
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2440
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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