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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
14.5
写入速度,GB/s
2,123.3
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2337
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology ADOVF1A083FE 1GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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