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PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2544
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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