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PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2544
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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