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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
14.4
写入速度,GB/s
2,123.3
8.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2511
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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