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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
18.3
写入速度,GB/s
2,123.3
15.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3529
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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