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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 15.0
    测试中的平均数值
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 59
    左右 -111% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 3675

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
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