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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 59
    左右 -55% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 11.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2919

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
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内存RAM
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内存RAM
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内存RAM
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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