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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
19.5
写入速度,GB/s
2,123.3
15.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3757
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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