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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,833.8
16.3
写入速度,GB/s
2,123.3
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2614
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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