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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
71
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
71
读取速度,GB/s
9.2
16.2
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1979
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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