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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
69
读取速度,GB/s
4,217.2
16.2
写入速度,GB/s
1,857.7
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1980
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
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