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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
17.4
写入速度,GB/s
1,857.7
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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