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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
17.2
写入速度,GB/s
5.9
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3035
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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