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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
16.7
写入速度,GB/s
1,857.7
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3598
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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