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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
16.3
写入速度,GB/s
1,857.7
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2995
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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