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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
4,217.2
14.3
写入速度,GB/s
1,857.7
11.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2699
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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