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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
46
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
40
读取速度,GB/s
2,909.8
9.3
写入速度,GB/s
1,519.2
7.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1773
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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