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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
22.2
写入速度,GB/s
1,857.7
17.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3871
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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