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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
4,217.2
15.3
写入速度,GB/s
1,857.7
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2875
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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