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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
15.4
写入速度,GB/s
1,857.7
9.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2554
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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