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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
10.8
写入速度,GB/s
9.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2618
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB RAM的比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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